| 化学物理研磨 CMP |
V74C |
電気/電解銅メッキ ECP
（CuSO4, H2SO4環境） |
V74C |
| ウェット洗浄 |
V74C |
| ウェットエッチング/ストリッピング |
G75H
G100XT |
| ウェハハンドリング |
G67P
K13X |
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ウェットプロセス
半導体製造時に利用される数々のウェットプロセス条件に対応するには、専用に調整した対費用効果の高いソリューションが必要です。ウェットプロセスの化学物質は、シールを劣化させて膨潤やイオン化コンタミの浸出を起こし、パーティクル汚
染を生じ、ウェハの歩留まりを低下させます。この表は、各種ウェットプロセスでのエラストマー選定時に参照する指針としてご利用ください。 |
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