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英国Perlast(パーラスト)社


フォトレジスト除去プロセスタイプ環境推奨製品


アッシング CF4, CHF3, SF6, O2, H2O G67P
G74P
G75H
フォトレジスト除去

フォトレジスト除去システムは、マイクロ波エネルギーやランプ加熱、プラテン加熱を利用して、フォトレジストを除去しています。輻射と伝導の熱伝達により、またマイクロ波エネルギーで高分子中の化学構造が励起することでも、高分子が劣化す
るため、エラストマーは注意して選定する必要があります。

パーティクルの低減

200mmフォトレジストプロセスの蒸気モジュールを設置したストリップ/アッシャー内のチャンバー全体をPerlast G74Pシールに置き換え、従来の競合他社製FFKMグレードとの比較が行われました。ウェハ上に付着した0.2μmを超えるパーティクルの個数を、9ヶ月に渡って測定しました。従来の他社製品では、70%の時間、ウェハ1枚あたり0~20パーティクルが付着し、14%の時間、ウェハ1枚あたり50個を超えるパーティクルが付着していました。50以上のパーティクルは、仕様範囲外とみなされ、ウェハは廃棄処分されていました。つまり、平均すると38日分の製造ロスが発生していました。このため、他社製シールは、歩留まり低下を防止するために、より頻繁に交換する必要がありました。
Perlast G74Pシールを取り付けたチャンバーでは、95%の時間が20パーティクル未満であり、50パーティクルの限界を超えるウェハはなくなり製造ロスがなくなりました。さらに、Perlastのシールは頻繁に交換する必要がありません。コストオブオーナーシップを低減し、メンテナンスの回数も減ります。
UVキュア

UVキュアリングプロセスは、紫外線領域の電磁波スペクトルを利用して、ウェハ表面の処理とコーティングの硬化を行います。高パワーのUV光を利用しますが、これによって、熱が大量に発生することがあります。熱伝達により、またUVエネルギーで高分子中の化学構造が励起することでも、高分子が劣化するため、エラストマーは注意して選定する必要があります。G75HおよびG100XTは、UVキュア用途で定評のあるマテリアルです。
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